Прототипы компьютерной памяти нового типа создали ученые Института физики полупроводников им. А.В.Ржанова СО РАН, сообщает Интерфакс Сибирь.
Элементы для матриц энергонезависимой памяти совмещают в себе высокую скорость работы, большой информационный объем и энергозависимость – как флэш-память или жесткий диск. Мемристоры – элементы памяти, были созданы на основе обедненных кислородом оксидов тантала, циркония и гафния.
«При этом впервые в мире было установлено, что под действием электронного луча обедненные кислородом оксиды гафния кристаллизуются в так называемую орторомбическую фазу, которая обычно образуется только при больших давлениях», – пишет источник.
Ранее Эпиграф.инфо рассказывал, что в Новосибирске создан мощнейший в мире суперкомпьютер.
Фото: Adobe Stock
